用于LTE基站的GaN功率晶体管

摘要：

本文介绍了AIGaN/GaN HEMT器件样品主要工艺并将型号为DX1H2527150的GaN HEMT器件在Demo板上测试WCDMA信号的漏极效率以及DPD校正前后的ACLR随平均输出功率的变化。输入信号为峰均比PAR=7.5dB的单载波WCDMA信号，信号中心频率为2600MHz，器件栅宽为21 mm。器件工作在40W输出功率时DPD校正后的ACLR达到-55dBc，且漏极效率为32％，非常适合用于LTE基站。

关键词： 氮化镓功率晶体管 性能表征 移动网络服务站台

作者: 张新川 邓光敏 陈洪维 杨天应 裴轶

作者单位: 苏州能讯高能半导体有限公司,苏州 215300

会议类型: 国内会议

会议名称: 2014`全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会暨第七届中国微纳电子技术交流与学术研讨会

会议地点: 太原

会议语种:中文

页码: 146-147

在线出版日期: 2014-08-04（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）