带有栅场板的AlGaN/GaN HFET沟道电场分布模型

摘要：

本文首先分析了场板结构对沟道电场调制作用的物理机制，然后通过求解泊松方程，结合计算机仿真，建立了带有栅场板A1GaN/GaN HFET的沟道电场分布解析模型。在较宽的参数范围内，模型计算结果与计算机仿真结果和实验结果符合良好误差小于10％。结果显示，器件可达到的最大击穿电压与ns成反比，而与绝缘介质的介电常数ξi成正比。减小沟道二维电子气浓度，或使用高k绝缘介质有助于提升器件耐压能力。最后基于该模型导出了最大化器件耐压的优化准则，获得了器件最优参数的解析表达式。本文研究结果为GaN基HFET器件设计与优化提供了理论依据。

关键词： 高电子迁移率晶体管 氮化镓 氮化镓铝 栅场板 沟道电场分布模型

作者: 赵子奇 桂进争 徐晓 张梦洁 徐敏

作者单位: 宁波大学理学院,宁波 315211

会议类型: 国内会议

会议名称: 2014`全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会暨第七届中国微纳电子技术交流与学术研讨会

会议地点: 太原

会议语种:中文

页码: 148-149

在线出版日期: 2014-08-04（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）