6kV 4H-SiC SBD、JBS和PiN功率二极管电学特性对比研究

摘要：

本文主要研究对比了4H-SiC肖特基二极管(SBD)、4H-SiC结势垒肖特基二极管(JBS)和4H-SiC PiN二极管三种结构的静态和动态特性,同时分析了温度对三种碳化硅器件反向恢复特性的影响.仿真分析表明SiC SBD、JBS和PiN的导通压降分别为3.1V、4V和4.2V,其中SiC JBS二极管在开启电压和正向工作电流方面显示出了较优秀的特性,并具有理想的抗浪涌电流能力.在6kV反向阻断状态下,SiC PiN二极管具有最小反向泄漏电流.在150℃下，SiC SBD和JBS二极管都显示出了稳定的反向恢复性能.

关键词： 肖特基二极管 结势垒肖特基二极管 PiN功率二极管 碳化硅半导体 电学特性

作者: 赵凯麟 户金豹 唐亚超 邓小川

作者单位: 电子科技大学 电子薄膜与集成器件国家重点实验室,成都 610054

会议类型: 国内会议

会议名称: 2014`全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会暨第七届中国微纳电子技术交流与学术研讨会

会议地点: 太原

会议语种:中文

页码: 153-157

在线出版日期: 2014-08-04（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）