SiC高温氧化工艺开发和界面特性分析

摘要：

本文使用n型4H-SiC(0001)偏4°外延材料,在1200℃、1250℃、1300℃和1350℃高温热氧,生成SiO2薄膜.通过测试MOS电容结构的CV和Ⅳ特性,分析SiO2/SiC界面特性.结果表明在1350℃条件下,靠近导带处界面态密度降低,有助于生长低缺陷的SiO2薄膜.同时,在低于1300℃条件下测得SiO2薄膜击穿电场大于6MV/cm,满足SiC MOSFET器件制造要求。

关键词： 碳化硅半导体材料 高温氧化工艺 界面特性分析 击穿电场

作者: 赵艳黎 李诚瞻 蒋华平 许恒宇

作者单位: 株洲南车时代电气股份有限公司半导体事业部 湖南 株洲 412001 中科院微电子研究所 北京 100000

会议类型: 国内会议

会议名称: 2014`全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会暨第七届中国微纳电子技术交流与学术研讨会

会议地点: 太原

会议语种:中文

页码: 163-166

在线出版日期: 2014-08-04（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）