4H-SiC p-i-n紫外光电探测器的电容-电压特性研究

摘要：

本文通过实验研究表明，4H-SiC p-i-n紫外光电探测器由于深能级缺陷对测试频率有响应从而导致相同温度、相同偏压下其结电容值比1 MHz的值更大。另一方面，随着温度升高，被深能级缺陷俘获的载流子被热激活从而使有效空间电荷浓度增大，电荷充放电效应增强，测量得到的电容值随之增大。温度进一步上升(>380K)，几乎所有被深能级缺陷俘获的载流子均被热激活，电容增大的幅度趋缓。当温度达到460K时，深能级缺陷对电容的影响几乎可以忽略不计，在此情况下，两种激励频率下的电容值趋于器件的反向耗尽电容值。

关键词： 紫外光电探测器 电容特性 电压特性 碳化硅材料

作者: 蔡加法 陈厦平 洪荣墩 吴正云

作者单位: 厦门大学物理系,福建 厦门 361005

会议类型: 国内会议

会议名称: 2014`全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会暨第七届中国微纳电子技术交流与学术研讨会

会议地点: 太原

会议语种:中文

页码: 173-175

在线出版日期: 2014-08-04（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）