GaN基p-i-n型紫外探测器的电流特性研究

摘要：

在本文中，测量样品的变温电流一电压特性，分析器件在正向与反向偏压下的载流子输运机制。通过研究分析表明，性位错以及周围的点缺陷可能是反向漏电流的主要输运通道。其过程可能是:电子吸收声子能量的同时，通过线性位错形成的可导连续态与导带之间的缺陷态多步隧穿过程。通过拟合电流与温度的关系，获得平均激活能大约为0.21 eV。

关键词： 紫外探测器 氮化镓 电流特性

作者: 翟阳 黄红娟 闫大为 顾晓峰

作者单位: 江南大学电子工程系,轻工过程先进控制教育部重点实验室,无锡 214122

会议类型: 国内会议

会议名称: 2014`全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会暨第七届中国微纳电子技术交流与学术研讨会

会议地点: 太原

会议语种:中文

页码: 179-180

在线出版日期: 2014-08-04（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）