基于砷化镓m-i-n结构的太赫兹源器件设计与优化

摘要：

利用砷化嫁m-i-n结构设计并制作了反射式太赫兹源，器件可耐50 kV/cm以上的场强，频宽可以达到4 THz以上，半高全宽可以达到2.7 THz。但现在仍然存在一个问题一太赫兹辐射强度低，如何提高泵浦光的吸收，以及增强光生电子一空穴对的复合来提高辐射效率是这个课题现在努力的方向。

关键词： 光电导天线 太赫兹源器件 砷化镓 m-i-n结构 制备工艺

作者: 徐公杰 朱亦鸣

作者单位: 上海市现代光学仪器重点实验室,教育部光学仪器与系统工程研究中心,光电信息与计算机工程学院,上海理工大学,200093

会议类型: 国内会议

会议名称: 2014`全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会暨第七届中国微纳电子技术交流与学术研讨会

会议地点: 太原

会议语种:中文

页码: 234-236

在线出版日期: 2014-08-04（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）