复合绝缘层IGZO-TFT器件的制备工艺及特性研究
在玻璃衬底上，采用底栅极结构制备IGZO-TFTe，测试了不同氨氧比条件下IGZO-TFT的输出特性曲线，可以看出，通氧气为2sccm和3sccm时，器件工作在饱和区的电流较大，但是源漏电流IDS不太稳定，随漏源电压VDS的增大有一定幅度的上下波动。同时，测试了当IGZO氩氧比为25sccm:2sccm的器件特性，发现退火之后器件的栅控能力显著增强，可以在较低的栅压下开启。因此，提出了一种复合绝缘层IGZO-TFT的制备方法，这种SiNxISi02结构可以有效地防止器件的泄漏电流。
薄膜晶体管 复合绝缘层 铟镓锌氧化物 制备工艺 底栅极结构 性能表征
王若铮
西安交通大学电子物理与器件研究所
国内会议
2014`全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会暨第七届中国微纳电子技术交流与学术研讨会
太原
中文
238-239
2014-08-04（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）