低温溶液法In2O3薄膜晶体管的制备

摘要：

目前,低温溶液法制备金属氧化物薄膜晶体管是液晶显示技术发展的趋势,利用In2O3前驱体溶液成功制备了高性能薄膜晶体管(TFT).In2O3沟道层的退火温度为300℃,符合低温柔性器件的要求.制备的TFT器件饱和迁移率为3.08 cm2/(V·s),开关电流比为108,性能参数十分的引人注目.

关键词： 薄膜晶体管 氧化铟 低温溶液法 性能参数

作者: 孟优 刘奥 刘国侠 单福凯

作者单位: 青岛大学物理科学学院,山东 青岛 266071

会议类型: 国内会议

会议名称: 2014`全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会暨第七届中国微纳电子技术交流与学术研讨会

会议地点: 太原

会议语种:中文

页码: 240-243

在线出版日期: 2014-08-04（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）