Ag纳米颗粒对Al2O3器件忆阻特性的影响

摘要：

通过在Al2O3器件中引入Ag纳米颗粒(Ag NPs)，利用电场局部增强和不均匀分布来优化器件的忆阻特性，获得了很好的效果。实验发现:所制备的Al/Al2O3/Ti和Al/Al2O3/Ag NPs/Ti器件均表现出明显的双极电阻开关特性.在Al2O3/Ti界面处引入适当尺寸的Ag纳米颗粒，能够有效降低器件的开关电压和低阻态电阻值，有效提高器件的高低电阻比率，这对低功耗设备的研究具有很好的参考价值;嵌入Ag纳米颗粒的器件，其稳定性和忍耐力也获得了极大的提高，并且器件具有较长的数据保存时间，展现出了良好的非易失性，表明嵌入Ag纳米颗粒的Al2O3器件在非易失性存储器方面具有潜在的应用价值。

关键词： 存储器 氧化铝器件 忆阻特性 制备工艺 银纳米颗粒

作者: 秦书超 董传义 张黎明 董瑞新

作者单位: 聊城大学物理科学与信息工程学院,山东省光通信科学与技术重点实验室,聊城 252059

会议类型: 国内会议

会议名称: 2014`全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会暨第七届中国微纳电子技术交流与学术研讨会

会议地点: 太原

会议语种:中文

页码: 244-244

在线出版日期: 2014-08-04（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）