Ag纳米粒子层对DNA忆阻器的影响
本文以脱氧核糖核酸-十六烷基三甲基溴化铵(DNA-CTMA)和银纳米粒子〔Ag NPs)为材料，利用旋涂法将DNA-CTMA和Ag NPs构建成三明治结构(DNA-CTMAIAgNPs/DNA-CTMA)并夹于两个金属电极之间，制备了一种新颖的有机存储器A1/DNA-CTMAlAg NPsIDNA-CTMAlITO。通过对器件进行连续扫描发现:随扫描周期的增多，器件的高阻态电流儿乎不变，而低阻态电流会有所减小;扫描5个周期以后，器件的电子特性不再随着扫描周期的增加而发生变化，达到一个相对稳定状态;扫描50个周期后器件仍保持着较好的忆阻特性，并且开-关电流比能够达103.在正向扫描时，由于DNA生物聚合物的高势垒和电极之间能量差距，使大多数注入电子不能穿透活性层，初始电流非常小，器件处于高阻态。然而，Ag NPs层的加入，使电极与Ag NPs层间的厚度比两电电极间厚度小，从而电子能够较容易的隧穿到Ag NPs。因此，Ag NPs层不仅增强了有机薄膜的导电性，而且增强了其忆阻效应。
忆阻器 脱氧核糖核酸 银纳米粒子层 性能表征
王媛 张金省 张新宇 闫循领
聊城大学物理科学与信息工程学院,山东省光通信和科学技术重点实验室,聊城 252059
国内会议
2014`全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会暨第七届中国微纳电子技术交流与学术研讨会
太原
中文
246-247
2014-08-04（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）