一种求解InP HEMT重掺帽层方阻的模型

摘要：

本文建立了重掺n+帽层的InP HEMT的TLM电阻模型，利用易于测得的含帽层等效沟道方阻Rshw和无帽层沟道方阻Rchannelw，以及公式推出重掺帽层的方阻RcapW 。通过Sentaurus仿真验证该模型的准确性，帽层厚度分别为20nm和30nm时，仿真值与本文模型计算值误差分别为9.5％和7.8％，误差控制在10％以内，本文求解重掺帽层的模型具有一定的参考价值。

关键词： 高电子迁移率晶体管 重掺帽层 方阻模型 数值计算

作者: 王元刚 张立森 邢东 敦少博 吕元杰 徐鹏 冯志红

作者单位: 专用集成电路重点实验室,石家庄 050051;中国电子科技集团公司第十三研究所,石家庄 050051 专用集成电路重点实验室,石家庄 050051;中国电子科技集团公司第十三研究所,石家庄 050051;中国电子科技集团公司第十二研究所,北京 100015

会议类型: 国内会议

会议名称: 2014`全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会暨第七届中国微纳电子技术交流与学术研讨会

会议地点: 太原

会议语种:中文

页码: 248-251

在线出版日期: 2014-08-04（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）