一种具有辅助埋层的恒流JFET

摘要：

本文提出一种具有辅助埋层的恒流JFET,借助Medici仿真软件,通过对传统恒流JFET和本文所提具有辅助埋层的恒流JFET的恒流特性进行比较可得,本文所提的恒流JFET能有效的提高器件的恒流特性,在同等参数条件下,恒流器件10～20V、20～50V、50～100V的电流变化率由普通的8.0％、11.9％、7.8％分别减小为4.2％、6.5％、5.1％.很明显,本文提出的具有辅助埋层的恒流JFET在不影响器件其他特性的同时可以更好的改善器件的恒流特性,可以很好地应用于高精度的恒流源.

关键词： 恒流PN结型场效应晶体管 发光二极管 辅助埋层 电流变化率

作者: 刘建 李泽宏 张金平 任敏 张波

作者单位: 电子科技大学 电子薄膜与集成器件国家重点实验室 四川 成都 610054

会议类型: 国内会议

会议名称: 2014`全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会暨第七届中国微纳电子技术交流与学术研讨会

会议地点: 太原

会议语种:中文

页码: 252-255

在线出版日期: 2014-08-04（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）