一种高压大电流IGBT的设计与实现

摘要：

本文提出了高压绝缘栅双极晶体管(IGBT)的设计方法,根据国内现有工艺水平,设计了1700V/100A高压大电流的NPT-IGBT.击穿电压达1800 V以上,栅发射极漏电流小于80 nA、关断时间小于800 nS、关断功耗小于30mJ,都达到设计要求.导通压降3.5V(略高),可通过增大芯片尺寸的方法加以改进(与国外同类产品相比,目前芯片尺寸偏小).

关键词： 高压绝缘栅双极晶体管 结构设计 功能测试 击穿电压

作者: 张炜 韩雁 余庆 张世峰 吴焕挺

作者单位: 浙江大学信电系微电子与光电子研究所,杭州,310027 华越微电子有限公司,绍兴,312016

会议类型: 国内会议

会议名称: 2014`全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会暨第七届中国微纳电子技术交流与学术研讨会

会议地点: 太原

会议语种:中文

页码: 260-262

在线出版日期: 2014-08-04（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）