会议专题

1200V IGBT芯片阻断特性不稳定分析

IGBT器件稳定的阻断特性是其高可靠性的基本保障,也是其能够作为功率开关的必要条件.引起IGBT器件阻断特性不稳定性的原因很多,比如寄生晶闸管闩锁、击穿蠕变现象等.某颗1200V NPT型Trench结构IGBT芯片在实际应用中器件失效,对其同批次芯片进行测试发现某些器件阻断特性不稳定,击穿I-V曲线异常.对该芯片进行了一系列的测试分析,找出其阻断特性不稳定的可能性原因.经过对多组测试实验结果分析论证,该1200V NPT型Trench结构IGBT芯片阻断特性不稳定是其在实际应用中失效的主要原因。IGBT芯片阻断特性不稳定是由于元胞设计不合理引起,P基区掺杂浓度较低,基区压降较大,IGBT器件寄生晶体管易触发;同时在器件电流很大时大量少数载流子易影响P基区未耗尽部分有效掺杂浓度,即易影响器件耐压。

高压绝缘栅双极晶体管 芯片阻断特性 不稳定分析 元胞设计

姚鑫 李泽宏 张金平 任敏 高魏

电子科技大学 电子薄膜与集成器件国家重点实验室,四川 成都 610054

国内会议

2014`全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会暨第七届中国微纳电子技术交流与学术研讨会

太原

中文

268-271

2014-08-04(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)