3300V IGBT平面栅元胞设计与优化

摘要：

绝缘栅双极晶体管(IGBT)结合了MOSFET的栅极电压控制特性和BJT的低导通电阻特性,在电网控制中得到越来越广泛的应用,尤其是1700V和3300V电压等级的IGBT模块.本文研究了3300V IGBT平面栅元胞特性与设计结构、工艺条件的关系,并针对NPT-IGBT饱和电压偏高的问题,采用载流子增强技术,优化元胞特性.最终成功研制了3300V/50A IGBT芯片,其饱和电压为2.8V,开启电压为6.1V,阻断电压达到4400V.

关键词： 绝缘栅双极晶体管 平面栅 元胞设计 电网控制

作者: 王耀华 金锐 刘江 赵哿

作者单位: 国网智能电网研究院 北京 102211

会议类型: 国内会议

会议名称: 2014`全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会暨第七届中国微纳电子技术交流与学术研讨会

会议地点: 太原

会议语种:中文

页码: 272-275

在线出版日期: 2014-08-04（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）