600V高性能新型槽栅内透明IGBT的仿真研究
载流子存储层(Carrier Stored Layer-CSL)可以改善IGBT导通态载流子分布,降低通态电压,但影响器件阻断能力.本文在CSL层下方近哑元胞侧设计了P型埋层(P Buried Layer-PBL),利用电荷平衡的理念改善电场分布,并借助ISE-TACD仿真工具,依托内透明集电极(ITC)技术,仿真研究600V槽栅CSL-PBL-ITC-IGBT电特性,分析CSL和PBL的尺寸及掺杂浓度、哑元胞(Dummy)尺寸等对器件特性的影响,并与普通的槽栅ITC-IGBT、点注入局部窄台面(PNM)ITC-IGBT的技术指标进行对比,结果表明CSL-PBL-ITC-IGBT具有更优的技术折中曲线.
绝缘栅双极型晶体管 载流子存储层 P型埋层 电场分布
苏洪源 胡冬青 吴郁 贾云鹏 李蕊 匡勇 屈静
北京工业大学,北京 100124
国内会议
2014`全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会暨第七届中国微纳电子技术交流与学术研讨会
太原
中文
280-284
2014-08-04（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）