线性浓度缓冲层IGBT仿真特性研究

摘要：

本文提出了一种新型场终止IGBT结构——线性掺杂场终止型IGBT(Line Doping Field Stop-LDFS)。与传统FS-IGBT的突变掺杂的场终止结构不同，本文提出的LDFS-IGBT具有20-30μm宽,峰值浓度为3.5e15的缓变线性掺杂场终止层。采用仿真工具ISE-TCAD,对600V20A的FS-IGBT与LDFS-IGBT的导通特性、开关特性进行仿真研究。结果表明LDFS-IGBT具有更低的的通态压降,同时保证良好的关断电压波形以及关断损耗.最后文章提出了一种实现缓变线性掺杂场终止结构的制造新技术。

关键词： 绝缘栅双极型晶体管 线性浓度缓冲层 仿真特性

作者: 匡勇 贾云鹏 吴郁 胡冬青 屈静 苏洪源 李蕊

作者单位: 北京工业大学,北京 100124

会议类型: 国内会议

会议名称: 2014`全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会暨第七届中国微纳电子技术交流与学术研讨会

会议地点: 太原

会议语种:中文

页码: 285-289

在线出版日期: 2014-08-04（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）