具有低损耗、宽安全工作区的1700V平面栅软穿通IGBT
在8英寸专业IGBT芯片线上成功试制1700V平面栅软穿通(SPT) IGBT,芯片参数均匀,成品率达到95％以上.通过采用载流子存储技术,并控制集电极发射效率,IGBT具有良好的通态压降vce(on)与开关能量(Eswitch)折中特性.常温下,当芯片电流为100A,Vce(on)为2.4V,通过采用激光退火工艺提高集电极的杂质激活效率,Vce(on)可进一步降低至2.0V,比NPT结构的IGBT低0.85V.将芯片封装成1600A/1700V标准单开关模块,在125℃下,单脉冲Eswitch为0.97J,达到同类产品的先进水平.IGBT模块通过各种标准动、静态测试与极限RBSOA与SCSOA测试,表现出了很好的可靠性.
绝缘栅双极型晶体管 通态压降 开关损耗 载流子存储技术
刘国友
株洲南车时代电气股份有限公司
国内会议
2014`全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会暨第七届中国微纳电子技术交流与学术研讨会
太原
中文
291-293
2014-08-04（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）