S波段100W硅LDMOS功率芯片鲁棒性的提高方法

摘要：

通过对功率管损坏机理进行分析，得出器件损坏的主要原因是LDMOS管的电流集中在硅表面，造成局部温度过高;使用优化漏结，把电流引入体内的方法解决了电流集中在硅表面的问题，提高了功率芯片的鲁棒性。使用优化漏结的功率芯片，做完内匹配后在负载牵引上测试输出功率、效率、功率增益。

关键词： 横向扩散金属氧化物半导体 功率芯片 鲁棒性 损坏机理 电流控制

作者: 徐政 王涛 赵文彬

作者单位: 中国电子科技集团公司第58所

会议类型: 国内会议

会议名称: 2014`全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会暨第七届中国微纳电子技术交流与学术研讨会

会议地点: 太原

会议语种:中文

页码: 303-308

在线出版日期: 2014-08-04（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）