高压P沟道VDMOS的设计

摘要：

针对国内的P沟道VDMOS的研究还比较缺乏的现状.本文在已有的N沟道VDMOS设计经验的基础上,提出了相应的工艺方法,并利用半导体仿真软件Tsuprem4和MEDICI,对主要的工艺参数和器件的电学参数进行仿真优化,得到了击穿电压为-516V、比导通电阻0.17Ω·cm2,阈值电压为-4.8V的P沟道VDMOS器件.

关键词： 场效应晶体管 垂直双扩散金属氧化物半导体 P沟道 器件设计 仿真分析

作者: 王为 李泽宏 任敏 张金平 高巍 张波

作者单位: 电子科技大学 电子薄膜与集成器件国家重点实验室 四川 成都 610054

会议类型: 国内会议

会议名称: 2014`全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会暨第七届中国微纳电子技术交流与学术研讨会

会议地点: 太原

会议语种:中文

页码: 309-312

在线出版日期: 2014-08-04（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）