一种基于功率VDMOS新的TSP(温度敏感因子)提取方法--依据归一化反向击穿电压BVR(nor)与结温Tj近似线性关系

摘要：

首先本文基于理论分析提出VDMOS的归一化反向击穿电压BVR(nor)与结温Tj(300K～425K)的半解析模型,然后通过数学软件Graph对模型中BVR(nor)与Tj关系进行拟合,发现两者间近似线性,最后依据该近似线性关系,设计提取TSP参数的测试方案,最终通过实际测试验证该方法的可行性.

关键词： 垂直双扩散金属氧化物半导体器件 温度敏感因子 反向击穿电压 近似线性关系

作者: 罗景涛

作者单位: 西安芯派电子科技有限公司,西安 720075

会议类型: 国内会议

会议名称: 2014`全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会暨第七届中国微纳电子技术交流与学术研讨会

会议地点: 太原

会议语种:中文

页码: 341-345

在线出版日期: 2014-08-04（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）