150V电荷耦合功率MOSFET的仿真研究

摘要：

本文针对150V功率MOSFET,利用电荷耦合概念,采用双层外延漂移区结构,对器件进行了设计与仿真:设置哑元胞,在导通电阻增加很少的情况下降低饱和压降,将起电荷耦合作用的垂直RESURF场板与源电极相连降低栅漏电容.在此基础上仿真研究电荷耦合区与非耦合区掺杂浓度(分别为N1、N2)的匹配,从而在阻断电压和导通电阻间达到最佳匹配;并仿真研究槽深的影响,给出优化结果.

关键词： 金属氧化物半导体器件 结构设计 电荷耦合功率 仿真分析

作者: 李蕊 胡冬青 吴郁 贾云鹏 苏洪源 屈静 匡勇

作者单位: 北京工业大学,北京 100124

会议类型: 国内会议

会议名称: 2014`全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会暨第七届中国微纳电子技术交流与学术研讨会

会议地点: 太原

会议语种:中文

页码: 348-351

在线出版日期: 2014-08-04（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）