X射线光刻制备减反射结构研究
本论文基于x射线光刻技术,在硅基板上制备PMMA减反射结构。采用在硅基板与PMMA光刻胶之间,增加一层粘结剂的方法,可以防止显影后的微结构的倒伏或粘连。用SEM观察得出制备的微结构的周期为300nm,高度为300纳米左右的PMMA亚波长结构。此结构可作为减反射结构,用于太阳能电池中。这种方法的最大优点是工艺可靠,可大面积制备,制成金属模具后可实现大规模的亚微米压印.对于亚微来减反射赤向实用具有重要意义。
太阳能电池 减反射结构 X射线 光刻技术
李以贵 杉山进
上海应用技术学院理学院,上海,201418 日本立命馆大学微系统系,日本,滋贺,525-8577
国内会议
2014`全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会暨第七届中国微纳电子技术交流与学术研讨会
太原
中文
413-413
2014-08-04(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)