4H-SiC P-型掺杂与GTO晶闸管器件材料生长

摘要：

本文报道使用热壁CVD生长系统在4英寸、4°偏角衬底上进行的4H-SiC p-型掺杂与GTO晶闸管器件所需的pnpn材料结构生长.在30 μm/h的平均生长速率条件下,4H-SiC外延层的平均背景掺杂浓度小于5.0×1013 em-3,利用SIMS测试方法,对于不同Al原子浓度的掺杂与控制进行了测试与分析,最低和最高p-型掺杂浓度分别为5.3×1015cm-3和1.5×1019em-3;采用SIMS测试方法对GTO晶闸管器件用pnpn材料进行了分析,结合85 μm/h的4H-SiC快速外延生长工艺,可制造kV级至10kV级4H-SiC GTO晶闸管器件材料.

关键词： 电力电子半导体晶闸管器件 晶体生长 碳化硅 p-型掺杂

作者: 孙国胜 张新和 董林 韩景瑞 闫果果 李锡光 王占国

作者单位: 东莞市天域半导体科技有限公司,东莞 523000;中国科学院半导体研究所,北京 100083 东莞市天域半导体科技有限公司,东莞 523000 中国科学院半导体研究所,北京 100083

会议类型: 国内会议

会议名称: 2014`全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会暨第七届中国微纳电子技术交流与学术研讨会

会议地点: 太原

会议语种:中文

页码: 418-421

在线出版日期: 2014-08-04（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）