湿法腐蚀研究PVT法生长的SiC单晶中的位错

摘要：

本论文研究的对象是山东天岳晶体材料有限公司(SICC)采用PVT法生产的高质量4H-SiC单晶，通过腐蚀法对晶片中的不同位错的密度及分布进行了研究。研究结果表明，以1:1的KOH和NaOH熔融液作为腐蚀剂，在460℃下对4H-SiC晶片进行腐蚀，得到了螺位错、刃位错和基平面位错对应的特征腐蚀坑形貌，其中螺位错与刃位错的尺寸比为1.7。计算得到晶片中的总位错密度为1.13×104/cm2，螺位错密度为4.2×102/cm2，刃位错为6.1×103/cmz，基平面位错则为4.8×103/cm2。实验结果表明，目前的晶体生长工艺对于螺位错的控制具有较好的效果，进一步提高单晶质量需要对刃位错和基平面位错密度进行控制。

关键词： 半导体材料 碳化硅 单晶生长 位错缺陷 湿法腐蚀

作者: 刘云青 张红岩 宁敏 高玉强 王希杰 宗艳民

作者单位: 山东天岳晶体材料有限公司

会议类型: 国内会议

会议名称: 2014`全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会暨第七届中国微纳电子技术交流与学术研讨会

会议地点: 太原

会议语种:中文

页码: 422-423

在线出版日期: 2014-08-04（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）