一种具有低导通压降的旁路开关

摘要：

本文提出一种具有低导通压降的旁路开关电路.借助仿真软件,通过对用于旁路开关的传统肖特基二极管和本文所提新型旁路开关电路的各项参数进行比较可得,本文所提新型旁路开关电路通过电路模块的控制作用及利用VDMOS器件的特性,减少了器件的导通压降.与传统肖特基二极管相比,在电流为8A的情况下,导通压降从400mV下降到64mV,且具有更小的反向漏电流、更低的功耗和更长的寿命.

关键词： 旁路开关 低导通压降 电路设计 使用寿命

作者: 肖栩 李泽宏 张金平 任敏 高巍 张波 聂海

作者单位: 电子科技大学 电子薄膜与集成器件国家重点实验室 四川成都 610054 成都信息工程学院 四川成都 610000

会议类型: 国内会议

会议名称: 2014`全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会暨第七届中国微纳电子技术交流与学术研讨会

会议地点: 太原

会议语种:中文

页码: 513-517

在线出版日期: 2014-08-04（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）