BiCMOS工艺数模转换器剂量率效应研究

摘要：

本文选取了两究所的Co60y射线源环境中对两款器件进行不同剂量率条件下的辐照试验。通过研究发现:BiCMOS工艺DAC的剂量率效应不同于传统单一工艺DAC，本次研究中的两款样品的功能参数及功率参数均表现出了潜在的低剂量率损伤增强效应，这有别于传统CMOS工艺DAC表现出的时间相关效应，但这种增强效应与传统双极工艺DAC相比要有所缓和.这一剂量率效应与BiCMOS工艺DAC的工艺特征密切相关，具体的失效机理仍需进一步深入研究。此外，对比两种BiCMOS工艺DAC功能失效模式，发现两者的功能曲线失效模式有所不同，这与两者的器件架构有关，MAX5222为R-2R架构DAC，R-2R网络中的开关阵列为互补开关，输出单元为缓冲运放，MAX5548为电流舵架构DAC，DAC模块为255个等权重的镜像电流源构成，这种架构中的差异性致使辐照致失效模块不同，并最终表现为两者功能曲线的失效模式上的区别。

关键词： 航天电子设备 数模转换器 剂量率效应 超大规模集成电路工艺

作者: 王信 陆妩 郭旗 吴雪 刘默涵 姜柯 崔江维

作者单位: 中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室 新疆理化技术研究所 新疆乌鲁木齐830011;新疆电子信息材料与器件重点实验室 新疆乌鲁木齐 830011;中国科学院大学 北京 100049 中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室 新疆理化技术研究所 新疆乌鲁木齐830011;新疆电子信息材料与器件重点实验室 新疆乌鲁木齐 830011

会议类型: 国内会议

会议名称: 2014`全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会暨第七届中国微纳电子技术交流与学术研讨会

会议地点: 太原

会议语种:中文

页码: 518-520

在线出版日期: 2014-08-04（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）