锗硅异质结晶体管电离辐照效应研究

摘要：

本文利用60Coγ射线对两款国产商用Site HBT器件进行了不同剂量的对比辐照实验，研究了其辐照前后直流特性的变化。实验结果以及分析可知，发射结边缘氧化物侧墙是Site HBT器件辐照敏感区域，其中辐射诱导产生的界面态和氧化物陷阱电荷引起的表面复合电流的增大是导致SiteHBT器件电流增益退化的主要机制。而不同器件辐射响应的差异则与不同的器件结构以及工艺参数的不同而引入的不同的能级缺陷有关。

关键词： 锗硅异质结晶体管 电离辐照效应 器件结构 工艺参数

作者: 刘默涵 陆妩 马武英 郭旗 王信 姜柯

作者单位: 中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室 新疆理化技术研究所 新疆乌鲁木齐830011;新疆电子信息材料与器件重点实验室 新疆乌鲁木齐 830011;新疆大学物理科学与技术学院 乌鲁木齐 83004 中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室 新疆理化技术研究所 新疆乌鲁木齐830011;新疆电子信息材料与器件重点实验室 新疆乌鲁木齐 830011 中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室 新疆理化技术研究所 新疆乌鲁木齐830011;新疆电子信息材料与器件重点实验室 新疆乌鲁木齐 830011;中国科学院大学 北京 100049

会议类型: 国内会议

会议名称: 2014`全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会暨第七届中国微纳电子技术交流与学术研讨会

会议地点: 太原

会议语种:中文

页码: 537-538

在线出版日期: 2014-08-04（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）