N型功率VDMOS器件总剂量辐射效应研究

摘要：

本文设计了一款N沟道抗辐照功率VDMOS器件，并对该器件进行了总剂量实验。实验结果表明该器件的抗辐照性能良好。本文同时使用中带电压法对引起闭值电压漂移的氧化层固定电荷和界面态电荷进行了分离，计算了不同电荷对闭值电压漂移的贡献。

关键词： 场效应器件 垂直双扩散金属氧化物半导体 总剂量 辐射效应

作者: 万欣 刘道广 温景超 周伟松 张斌 许军 薄涵亮

作者单位: 清华大学 核能与新能源技术研究院 清华大学 微电子研究所

会议类型: 国内会议

会议名称: 2014`全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会暨第七届中国微纳电子技术交流与学术研讨会

会议地点: 太原

会议语种:中文

页码: 540-542

在线出版日期: 2014-08-04（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）