会议专题

IGBT过渡区可靠性的分析

近年来,随着IGBT等栅控器件向更大功率和更高频率的方向发展,新的失效模式在应用中凸显出来,其中最为显著的是IGBT等器件的过渡区失效.本文借助仿真软件MEDICI采用热-电耦合方式对所设计的一款600V FS-TIGBT进行了关断特性的仿真,重点对IGBT过渡区的失效机理进行了详细的研究.分析表明,关断过程中过渡区表面局部过热点的产生是引起该失效最主要的原因;在此基础上建立了关断过程中的瞬态热-电耦合模型,分析了关断过程中温度随时间的渐变分布原因。

绝缘栅双极晶体管 过渡区 关断特性 可靠性分析

韩天宇 李泽宏 张金平 任敏 高巍 张波

电子科技大学 电子薄膜与集成器件国家重点实验室 四川成都 610054

国内会议

2014`全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会暨第七届中国微纳电子技术交流与学术研讨会

太原

中文

552-556

2014-08-04(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)