CCD在质子辐射环境下的位移损伤机理分析

摘要：

针对空间辐射导致CCD产生的位移损伤效应，采用IOMeV质子对典型的埋沟CCD器件进行了辐照实验，测试了器件的暗电流、暗电流非均匀性、电荷转移效率、饱和电压等参数的在辐照器件及辐照后退火实验中的变化情况。分析发现，10MeV质子辐射导致CCD暗电流、暗电流均匀性显著变大，电荷转移效率显著变小，而饱和电压总体变化不大。

关键词： 航天电子设备 固态可见光探测器 位移损伤 质子辐射环境

作者: 文林 李豫东 郭旗 任迪远 汪波 玛丽娅

作者单位: 中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室,新疆电子信息材料与器件重点实验室,中国科学院新疆理化技术研究所,乌鲁木齐 830011;中国科学院大学,北京 100049 中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室,新疆电子信息材料与器件重点实验室,中国科学院新疆理化技术研究所,乌鲁木齐 830011

会议类型: 国内会议

会议名称: 2014`全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会暨第七届中国微纳电子技术交流与学术研讨会

会议地点: 太原

会议语种:中文

页码: 557-558

在线出版日期: 2014-08-04（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）