MFIS结构铁电场效应晶体管伽马总剂量效应研究
采用溶胶-凝胶法结合旋涂工艺在已经注入了源漏区的HfTaO/Si(100)基底上制备了P型MFIS(金属-铁电-绝缘层-硅)FeFET(铁电场效应晶体管).采用铁电分析仪和半导体器件分析仪对制备的MFIS FeFET进行了电学性能测试,测试结果表明制备的MFIS FeFET具有良好的转移特性、输出特性、保持特性和抗疲劳特性.辐射源采用美国Brookhaven国家实验室的60Co伽马放射源,进行了三组不同辐射剂量的实验.实验结果表明MFIS FeFET在辐射后转移特性和保持特性均产生退化,在高剂量辐射下制备的MFIS FeFET已经失去了数据存取能力.
铁电场效应晶体管 伽马总剂量效应 金属铁电绝缘层硅结构 性能表征
燕少安 唐明华
湘潭大学 低维材料及其应用技术教育部重点实验室
国内会议
2014`全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会暨第七届中国微纳电子技术交流与学术研讨会
太原
中文
560-561
2014-08-04（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）