功率快恢复二极管反偏ESD与雪崩耐量测试仿真对比

摘要：

功率半导体器件静电放电及雪崩耐量对器件性能及坚固性的影响在应用中至关重要.采用简明分段线性电流源,分别对功率快恢复二极管反偏ESD过程及雪崩耐量进行仿真计算,分析讨论二者的共性和差异.结果表明,器件外端电压波形均经历过冲、负阻及振荡、平缓发展三个阶段,差别在于反偏ESD造成的电压过冲更明显,且出现典型的U型电场分布,与雪崩耐量相比对器件造成的影响更剧烈.最后,考察了器件结构参数抗ESD能力和雪崩耐量的影响.

关键词： 功率快恢复二极管 雪崩耐量 反偏抗静电放电测试 仿真分析

作者: 屈静 吴郁 胡冬青 贾云鹏 匡勇 苏洪源 李蕊

作者单位: 北京工业大学

会议类型: 国内会议

会议名称: 2014`全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会暨第七届中国微纳电子技术交流与学术研讨会

会议地点: 太原

会议语种:中文

页码: 588-591

在线出版日期: 2014-08-04（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）