AlGaInP发光二极管性能提升

摘要：

本文介绍了三安光电公司研发和生产的AlGaInP-LED薄膜RS系列芯片产品产业化技术现状.通过工艺技术调适使现有RS-LED芯片亮度提升20％,在LED产业中具有更有利的竞争力,其中提升亮度技术包括了将目前全方位镜面优化,藉由通过采用双ODR体系以及较佳的金属反射率将亮度提升10％,改变台面侧壁外型增加出光,以及将其搭配侧壁粗化等关键工艺技术,整体亮度提升约为20％,实现了有限面积下亮度指标大幅提升的目标.

关键词： 发光二极管芯片 性能优化 工艺流程 质量控制

作者: 吴超瑜 王笃祥 蔡伟智 刘如玲 郭桓绍 陶青山 贾月华

作者单位: 天津三安光电有限公司,天津 300384 三安光电股份有限公司,福建厦门 361009;2.天津三安光电有限公司,天津 300384 三安光电股份有限公司,福建厦门 361009

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十四届全国LED产业发展与技术研讨会

会议地点: 安徽马鞍山

会议语种:中文

页码: 6-10

在线出版日期: 2014-09-24（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）