采用量子阱垒层生长条件的掺Si氮化镓的性能研究
采用国产金属有机物化学气相沉积(MOCVD)设备,用量子阱垒层生长条件生长硅掺杂GaN(nGaN)单层材料并研究了其表面形貌和电学性质.通过改变Si源的流量,得到了载流子浓度从-5×16到-3× 18cm-3的nGaN样品.与高温GaN比较,两者的载流子浓度和Si/Ⅲ都成线性关系,但是斜率不同.对低温样品进行了原子力显微镜表面形貌分析,二次离子质谱分析,常温及低温霍尔测量.实验结果表明,随着Si掺杂浓度的提高,样品表面的位错坑密度增加,样品的晶体质量下降.在-5×16cm-3的载流子浓度下,样品的常温霍尔迁移率达到1040cm2/Vs.分析结果表明,较低的位错密度是样品高迁移率的主要原因.
发光二极管 氮化镓基材料 表面形貌 电学性质 量子阱垒层生长条件
张良 黄占超 李雪飞 丁兴燮 奚明 马悦
理想能源设备(上海)有限公司,上海 201210
国内会议
安徽马鞍山
中文
18-21,113
2014-09-24（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）