4英寸InGaN/GaN量子阱生长温度控制与监测
InGaN/GaNMQW发光波长对温度非常敏感.但是由于石墨载盘高速旋转、晶圆透明等原因,MOCVD外延过程中的温度控制和监测十分困难.本文综合红外温度测量原理、MQW样品的PL波长测量、MQW结构的XRD测量和模拟等手段,研究了测量温度与真实温度的对应关系.在满锅情况下,由于平片衬底与图形衬底对红外辐射的不同散射效果,造成真实温度一致的情况下,测量温度有10度左右的差别.而在少片情况下,蓝宝石衬底的保温效应比较明显,它造成了衬底间的温度干扰和控温不正确,在特定位置出现了较大的波长差别.为了让测量温度尽可能等同于真实温度,需要根据衬底种类、外延层结构等进行温度补偿.为了能稳定、重复的控制少片波长,应该采用每圈放1片衬底.
发光二极管芯片 制造工艺 量子阱 生长温度
胡建正 汪洋 郭泉泳 郭春磊 刘英斌 李天笑
中微半导体设备(上海)有限公司,上海 201201 北京智朗芯光科技有限公司,北京 102200
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2014-09-24（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）