粗化生长速率对GaN外延层位错及LED性能的影响
本文论述了粗化生长速率对图形化衬底(patterned sapphire substrates (PSS)上GaN外延层位错产生的机理以及位错密度分布的影响.利用扫描电子显微镜(SEM),隧道电子显微镜(TEM)等测试手段对PSS上GaN外延层进行分析研究.研究发现,当粗化生长速率由2.2 μm/h降低至1.6 μm/h后,GaN外延层中的位错密度也随之下降,在此基础上分析各生长速率下的位错形貌、分布、密度以及由此推导的PSS上GaN位错产生机理,同时本文还论述了不同粗化速率下生长LED的光电性能,得出1.6μm/h粗化生长速率下不仅位错密度小且光电性能优异,是最适合PSS上生长GaN的粗化速率.
发光二极管 光电性能 粗化生长速率 氮化镓外延层位错
黄小辉 周德保 陈向东 康建
圆融光电科技有限公司,安徽马鞍山,243000
国内会议
安徽马鞍山
中文
31-35
2014-09-24（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）