发光二极管芯片光退化特性研究

摘要：

本文分析了LED芯片光输出退化机理,分组抽取LED芯片进行光退化试验,通过实验验证了LED芯片光输出退化的小电流现象.利用此现象扩大了LED外延工艺设计和日常生产的试验监控范围,有效为LED外延材料生长工艺的优化和改善提供参考数据,达到预测和改善LED芯片光退化现象的目的.

关键词： 发光二极管芯片 光退化特性 小电流现象 寿命试验

作者: 蔡伟智 梁奋 时军朋 赵来文

作者单位: 三安光电股份有限公司,福建厦门361009

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十四届全国LED产业发展与技术研讨会

会议地点: 安徽马鞍山

会议语种:中文

页码: 36-39

在线出版日期: 2014-09-24（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）