具有ITO/Ti3O5薄膜结构的高亮度AIGaInP LED

摘要：

采用ITO/Ti305薄膜结构作为高亮度AlGaInP LED的电流扩展层,窗口层,电流阻挡层和增透膜层.通过在电极下形成肖特基结,避免电极下方无效电流注入,提高局域电流密度.通过ITO/Ti305增透膜设计提升LED的光提取效率.具有该ITO/Ti305薄膜结构的主波长621nm的高亮度A1GaInP LED芯片(150×150um2)较传统结构芯片发光强度提升40％,20mA注入电流下,电压均值在2.1V左右.

关键词： 红光发光二极管芯片 薄膜结构 高亮度 性能测试

作者: 白继锋 杨凯 李俊承 许杰林 马祥柱 张永 王向武

作者单位: 扬州乾照光电有限公司,江苏扬州 225000

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十四届全国LED产业发展与技术研讨会

会议地点: 安徽马鞍山

会议语种:中文

页码: 40-42,69

在线出版日期: 2014-09-24（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）