LED高压芯片的制备与性能研究
在蓝宝石基板上通过金属有机化学气相沉积(MOCVD)生长GaN基多量子阱外延层,利用电感耦合等离子体刻蚀和金属桥接技术,在薄膜芯片工艺基础上结合了普通大功率芯片设计,制备了具有高取出光效率的LED高压芯片(HV LED).测试高压芯片和传统正装大功率芯片,在相同功率下,高压芯片光效高出传统芯片11.7％,其中LED HV40*40mi1芯片25mA正向电流下,工作电压39.5V,硅胶封装的蓝光LED灯的光输出功率530mw,标准YAG荧光粉封装白光灯的光通量为132.71m,取光效率达134.41m/w.
发光二极管高压芯片 制备工艺 外延生长 性能测试
杨小东 梁伏波 孔利平
晶能光电(江西)有限公司,南昌330029
国内会议
安徽马鞍山
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46-49
2014-09-24（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）