H桥级联型高压变频器单元旁路技术的研究

摘要：

通过对H桥级联型高压变频器同级旁路和中性点偏移两种旁路策略的研究,提出了一种通过三次谐波注入以提高变频器在中性点偏移情况下单元直流电压利用率的方法.仿真结果表明,本文给出的三次谐波注入方法可以最大程度地提高变频器的单元直流电压利用率.

关键词： H桥级联型高压变频器 单元旁路技术 仿真分析 直流电压利用率

作者: 绳伟辉 干永革

作者单位: 中冶赛迪电气技术有限公司研发部,北京100176

会议类型: 国内会议

会议名称: 全国冶金自动化信息网2014年年会

会议地点: 北京

会议语种:中文

页码: 437-441

在线出版日期: 2014-06-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）