半导体断路开关输出脉冲宽度的参数影响规律

摘要：

采用Silvaco TCAD软件,对P+-P-N-N+ SOS结构输出脉冲宽度的参数影响规律进行了一维数值模拟研究,包括N+区扩散深度、有效横截面积、外电路参数等.模拟结果表明:随着N+区扩散深度、有效横截面积的增加和外电路电阻的增大,输出脉冲的宽度减小.通过参数优化,获得了脉宽约为4ns的输出脉冲.

关键词： 半导体断路开关 脉冲宽度 数值模拟 参数优化

作者: 王古森 王洪广 戚玉佳 李永东

作者单位: 电子物理与器件教育部重点实验室(西安交通大学),西安710049

会议类型: 国内会议

会议名称: 第九届全国高功率微波会议

会议地点: 四川都江堰

会议语种:中文

页码: 1-4

在线出版日期: 2013-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）