器件效应数值模拟中漂移扩散模型的误差分析

摘要：

为了确定数值模拟过程中的误差来源,并针对误差来源改进软件,减小计算误差,对半导体器件数值模拟中的采用的漂移扩散模型进行了研究.结合自主开发的半导体器件效应软件GSRES,分析了软件中漂移扩散模型的理论近似,对计算模型中由于温度分布、载流子复合/产生率、载流子迁移率等项采取近似而导致的误差进行了分析.根据误差分析和数值模拟算例,认为误差主要来自于器件内部温度场分布和迁移率模型的近似,给出了软件的适用范围.结合半导体器件的研究热点和发展趋势,对该模型中需要进行改进的近似项进行了分析.

关键词： 半导体器件 数值模拟 漂移扩散模型 误差分析

作者: 李勇 贡顶 宣春 夏洪富 谢海燕 王建国

作者单位: 西北核技术研究所,西安 710024 西北核技术研究所,西安 710024;西安交通大学电子信息学院,西安 710049

会议类型: 国内会议

会议名称: 第九届全国高功率微波会议

会议地点: 四川都江堰

会议语种:中文

页码: 1-6

在线出版日期: 2013-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）