Nb掺杂BaTiO3的电子结构研究

摘要：

基于密度泛函理论的第一性原理,计算了Nb掺杂的BaNbxTi1-xO3(x=0,0.25,0.33,0.5)的电子结构.研究表明:当x＞0时,体系表现为直接带隙结构,与未掺杂时的间接带隙结构不同,且在掺杂情况下费米能级进入导带.根据态密度计算结果分析可知,随x的增大,导带的分布区域越分散,分波态密度也向能量更低的方向移动.

关键词： 铁电材料 钡钛氧化物 铌掺杂 电子结构

作者: 涂才根 刘诺 张曦

作者单位: 电子科技大学微电子学固体电子学院四川成都610054

会议类型: 国内会议

会议名称: 2009年中国高校通信类院系学术研讨会

会议地点: 南宁

会议语种:中文

页码: 352-356

在线出版日期: 2009-09-18（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）