会议专题

沉淀法制备高比表面积SiO2的工艺研究

以Na2SiO3·9H2O、H2SO4为原料,沉淀法路线合成高比表面积SiO2.实验考察了反应温度、H2SO4溶液浓度、Na2SiO3溶液浓度、反应终点pH值、表面活性剂添加量、后处理试剂、干燥方式等因素对SiO2比表面积的影响.采用BET低温液氮吸附比表面分析仪、热重分析仪、场发射扫描电镜、激光粒度分析仪、傅里叶变换红外光谱仪等分析仪器对SiO2样品进行表征.结果表明,在c(H2SO4)=1.5mol/L、w(Na2SiO3)=6.3%、反应温度t=60℃、pH值为5,用正丁醇置换水等实验条件下,可制得SiO2粉末比表面积为841m2/g,相较于一般沉淀SiO2300~400m2/g的比表面积有明显提高.

高比表面积二氧化硅 沉淀制备法 结构表征 工艺优化

游淳毅 汤培平 刘碧华 林康英 刘瑞聪

厦门大学化学化工学院 福建厦门 361005

国内会议

2013年全国无机硅化物行业年会暨行业“调结构、转方式、稳增长”经验交流会

无锡

中文

75-80

2013-12-01(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)