新型低熔点烧结助剂MoO3对氧化锌压敏陶瓷的影响

本文加入烧结助剂MoO3于Zn-Bi系压敏陶瓷中,提高了陶瓷的致密度,细化了晶粒,并从微观上分析了MoO3对氧化锌电学性能的影响.研究发现,掺杂MoO3含量较少时,晶界势垒φb降低,漏电流IL增大;但随着MoO3含量增多,界面态密度Ns和晶界势垒高度φb增大,漏电流减小.调整掺杂MoO3含量不但会促进低温烧结,而且可提高znO基压敏陶瓷的综合性能.
氧化锌压敏陶瓷 性能测试 显微结构 氧化钼
肖祥凯 程丽红 李国荣 郑嘹赢 slovko Bernik
中国科学院上海硅酸盐研究所,上海 200050 Jo(z)ef Stefan Institute POB 3000 / Jamova 39 Ljubljana Slovenia
国内会议
中国电子学会敏感技术分会电压敏专业学部第二十届电压敏学术年会
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2013-11-12(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)