低压ZnO压敏电阻器的研究进阶

摘要：

在双肖特基势垒模型、晶界缺陷模型和晶粒生长动力学理论指导下,从减小ZnO压敏电阻器瓷片的厚度、降低ZnO压敏电阻器瓷片晶界层击穿电压、增大ZnO平均晶粒尺寸三条途径出发,综述了ZnO压敏电阻器低压化研究取得的进展,并对其发展方向进行了展望.

关键词： 氧化锌压敏电阻器 材料设计 低压化技术 微观结构

作者: 孙丹峰 季幼章

作者单位: 苏州市电通电力电子有限公司 苏州 215011 苏州市电通电力电子有限公司 苏州 215011;中国科学院等离子体物理研究所 合肥 230031

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国电子学会敏感技术分会电压敏专业学部第二十届电压敏学术年会

会议地点: 深圳

会议语种:中文

页码: 67-71,83

在线出版日期: 2013-11-12（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）