拓扑绝缘体Bi2Se3的电子显微学研究
近年来,拓扑绝缘体因其独特的物理性质及良好的应用前景在凝聚态物理和材料科学领域引起了广泛的研究兴趣,尤其是三维拓扑材料Bi2Se3备受关注.本工作中,用高分辨电子显微镜研究Bi2Se3的结构与微结构. 由于层状晶体Bi2Se3中每五层之间，即Se-Se之间是范德华键，键结合力很弱，BiSe晶体易沿(001)面解理和滑移，因此该类晶体中存在多种缺陷。给出一张沿”100”方向拍摄的包含缺陷的高分辨像，从缺陷核心的滤波像上可以明显看到位错中多余的半原子面。为得到缺陷核心的原子组态。位错的柏氏回路，柏氏矢量b=a”010”。原子分辨率水平的缺陷核心结构还在进一步分析中。
拓扑绝缘体 硒化铋 电子显微学 结构分析
王玉梅 葛炳辉 曹立新
中国科学院物理研究所,北京凝聚态物理国家实验室,北京 100190
国内会议
重庆
中文
30-31
2013-10-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）