IGZO(InGaZnO)氧化物靶材制备及研究进展
平面液晶显示器件中,以铟镓锌氧化物作为半导体沟道层材料制备的IGZO氧化物TFY,相比硅基TFT面板,IGZO薄膜晶体管有着迁移率高、均一性好、透明、低温制备、工艺简单等优点,IGZO-ITFT驱动的LCD/OLED面板具有高精度、低功耗与高触控性能等诸多性能优势。基于PVD技术的高性能IGZO靶材是制备氧化物半导体薄膜的关键功能材料。本文介绍了制备IGZO靶材及其粉末制备与处理、靶材形制与成型烧结、靶材成分组成、靶材物相结构与性能,IGZO靶材制备研究现状及应用发展。
半导体材料 氧化物靶材 制备工艺 性能表征
刘秉宁 刘孝宁 张红梅
西北稀有金属材料研究院 753000
国内会议
苏州
中文
568-576
2013-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）